STP12N65M5
STP12N65M5
Número de pieza:
STP12N65M5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12007 Pieces
Ficha de datos:
STP12N65M5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs:430 mOhm @ 4.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-10304-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:STP12N65M5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
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