STP11N60DM2
STP11N60DM2
Número de pieza:
STP11N60DM2
Fabricante:
ST
Descripción:
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17111 Pieces
Ficha de datos:
STP11N60DM2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:420 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-16932
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:STP11N60DM2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:614pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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