STP110N8F6
STP110N8F6
Número de pieza:
STP110N8F6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17472 Pieces
Ficha de datos:
STP110N8F6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:STripFET™ F6
RDS (Max) @Id, Vgs:6.5 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-16019-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STP110N8F6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9130pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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