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STL10N65M2
- Número de pieza:
- STL10N65M2
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18839 Pieces
- Ficha de datos:
- STL10N65M2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STL10N65M2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STL10N65M2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 23 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | - |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Otros nombres: | 497-15052-1 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | STL10N65M2 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1480pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 20A (Tc) Surface Mount |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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