STL100N8F7
STL100N8F7
Número de pieza:
STL100N8F7
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19693 Pieces
Ficha de datos:
1.STL100N8F7.pdf2.STL100N8F7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerFlat™ (5x6)
Serie:STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.1 Ohm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):4.8W (Ta), 120W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:497-16502-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STL100N8F7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3435pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:46.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 100A (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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