STFI20N65M5
STFI20N65M5
Número de pieza:
STFI20N65M5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13553 Pieces
Ficha de datos:
STFI20N65M5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAKFP (TO-281)
Serie:MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):130W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres:497-13533
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STFI20N65M5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1345pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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