STFI13N80K5
STFI13N80K5
Número de pieza:
STFI13N80K5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12656 Pieces
Ficha de datos:
STFI13N80K5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAKFP (TO-281)
Serie:MDmesh™ K5
RDS (Max) @Id, Vgs:450 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):35W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres:497-15374-5
STFI13N80K5-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STFI13N80K5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:870pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 12A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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