STF10NM65N
STF10NM65N
Número de pieza:
STF10NM65N
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13937 Pieces
Ficha de datos:
STF10NM65N.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220FP
Serie:MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:480 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STF10NM65N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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