STD3NK100Z
STD3NK100Z
Número de pieza:
STD3NK100Z
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16050 Pieces
Ficha de datos:
STD3NK100Z.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs:6 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:497-7967-2
STD3NK100Z-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:STD3NK100Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:601pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 2.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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