STD10PF06-1
STD10PF06-1
Número de pieza:
STD10PF06-1
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18597 Pieces
Ficha de datos:
STD10PF06-1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:497-12781-5
STD10PF06-1-ND
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STD10PF06-1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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