Comprar STB80NF55L-08-1 con BYCHPS
Compre con garantía
STB80NF55L-08-1
- Número de pieza:
- STB80NF55L-08-1
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14463 Pieces
- Ficha de datos:
- STB80NF55L-08-1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STB80NF55L-08-1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STB80NF55L-08-1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I2PAK |
| Serie: | STripFET™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | 497-12542-5 STB80NF55L-08-1-ND STB80NF55L081 |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | STB80NF55L-08-1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 100nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de STB80NF55L-08-1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
STB80NF55L-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Investigación |
|
STB80PF55T4 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK | Investigación |
 |
STB80NF55-06-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Investigación |
|
STB80NF55-08T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Investigación |
|
STB80NF55-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Investigación |
|
STB80N20M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK | Investigación |
 |
STB80NF55-08AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Investigación |
|
STB80NF55-08-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Investigación |
|
STB80NE03L-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers