STB25N80K5
STB25N80K5
Número de pieza:
STB25N80K5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19352 Pieces
Ficha de datos:
STB25N80K5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:SuperMESH5™
RDS (Max) @Id, Vgs:260 mOhm @ 19.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-13640-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:STB25N80K5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19.5A (Tc)
Email:[email protected]

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