Comprar STB200NF03T4 con BYCHPS
Compre con garantía
STB200NF03T4
- Número de pieza:
- STB200NF03T4
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18979 Pieces
- Ficha de datos:
- STB200NF03T4.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STB200NF03T4, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STB200NF03T4 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | STripFET™ III |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.6 mOhm @ 60A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | 497-6548-2 STB200NF03T4-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | STB200NF03T4 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4950pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de STB200NF03T4
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
STB200NF04L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Investigación |
 |
STB200NF04L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | Investigación |
|
STB200N6F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | Investigación |
|
STB200NF04-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | Investigación |
|
STB200NF04T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Investigación |
|
STB20NM60-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK | Investigación |
|
STB20NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK | Investigación |
|
STB20NM50T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK | Investigación |
|
STB200N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Investigación |
 |
STB20N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., | Investigación |
|
STB20N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK | Investigación |
|
STB20NM60T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog