STB14NM50N
STB14NM50N
Número de pieza:
STB14NM50N
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15580 Pieces
Ficha de datos:
STB14NM50N.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STB14NM50N, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STB14NM50N por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar STB14NM50N con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 100µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:320 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-10644-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:STB14NM50N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:816pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios