STB12NM50FDT4
STB12NM50FDT4
Número de pieza:
STB12NM50FDT4
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16467 Pieces
Ficha de datos:
STB12NM50FDT4.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:FDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):160W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-5380-2
STB12NM50FDT4-ND
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STB12NM50FDT4
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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