SCT2160KEC
SCT2160KEC
Número de pieza:
SCT2160KEC
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16755 Pieces
Ficha de datos:
SCT2160KEC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):+22V, -6V
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:208 mOhm @ 7A, 18V
La disipación de energía (máximo):165W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SCT2160KEC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 18V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):18V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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