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SCS210AGHRC
- Número de pieza:
- SCS210AGHRC
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO-220-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17038 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.SCS210AGHRC.pdf2.SCS210AGHRC.pdf3.SCS210AGHRC.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SCS210AGHRC, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SCS210AGHRC por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.55V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AC |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SCS210AGHRC |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220AC |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO-220-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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