RV2C010UNT2L
RV2C010UNT2L
Número de pieza:
RV2C010UNT2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17786 Pieces
Ficha de datos:
RV2C010UNT2L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:VML1006
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:470 mOhm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):400mW (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-101, SOT-883
Otros nombres:RV2C010UNT2LDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RV2C010UNT2L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount VML1006
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:sales@bychips.com

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