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RTF010P02TL
- Número de pieza:
- RTF010P02TL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16738 Pieces
- Ficha de datos:
- RTF010P02TL.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RTF010P02TL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RTF010P02TL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TUMT3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 800mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | RTF010P02TLTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RTF010P02TL |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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