Comprar RT1A050ZPTR con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±10V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-TSST |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 600mW (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | RT1A050ZPTR |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 6V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 34nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
Descripción: | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
Email: | [email protected] |