RT1A050ZPTR
RT1A050ZPTR
Número de pieza:
RT1A050ZPTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16695 Pieces
Ficha de datos:
RT1A050ZPTR.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RT1A050ZPTR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RT1A050ZPTR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar RT1A050ZPTR con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSST
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):600mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RT1A050ZPTR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:34nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios