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RFN30TS6SGC11
- Número de pieza:
- RFN30TS6SGC11
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18355 Pieces
- Ficha de datos:
- RFN30TS6SGC11.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RFN30TS6SGC11, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RFN30TS6SGC11 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.55V @ 30A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 60ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RFN30TS6SGC11 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 30A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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