PSMN3R0-30YLDX
PSMN3R0-30YLDX
Número de pieza:
PSMN3R0-30YLDX
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16201 Pieces
Ficha de datos:
PSMN3R0-30YLDX.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.1 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):91W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-100, SOT-669
Otros nombres:1727-1796-2
568-11379-2
568-11379-2-ND
934067966115
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PSMN3R0-30YLDX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2939pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:46.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 100A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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