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PR1007G-T
- Número de pieza:
- PR1007G-T
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14642 Pieces
- Ficha de datos:
- PR1007G-T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PR1007G-T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PR1007G-T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.3V @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1000V (1kV) |
| Paquete del dispositivo: | DO-41 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 500ns |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Otros nombres: | PR1007G-TDICT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PR1007G-T |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-41 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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