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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > MS652S
MS652S
Número de pieza:
MS652S
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19630 Pieces
Ficha de datos:
MS652S.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MS652S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MS652S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):16V
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:M123
Serie:-
Potencia - Max:25W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:M123
Temperatura de funcionamiento:200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):-
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:MS652S
Ganancia:10dB
Frecuencia - Transición:450MHz ~ 512MHz
Descripción ampliada:RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123
Descripción:TRANS RF BIPO 25W 2A M123
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:10 @ 200mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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