JANTXV2N6766
Número de pieza:
JANTXV2N6766
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14783 Pieces
Ficha de datos:
JANTXV2N6766.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3
Serie:Military, MIL-PRF-19500/543
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):4W (Ta), 150W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-204AE
Otros nombres:JANTXV2N6766-MIL
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:JANTXV2N6766
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:115nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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