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JANS1N6661US
- Número de pieza:
- JANS1N6661US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 19023 Pieces
- Ficha de datos:
- JANS1N6661US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JANS1N6661US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JANS1N6661US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 400mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 225V |
| Paquete del dispositivo: | D-5A |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/587 |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, A |
| Otros nombres: | 1086-16020 1086-16020-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JANS1N6661US |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 225V 500mA Surface Mount D-5A |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50nA @ 225V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 500mA |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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