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JANS1N3595US
- Número de pieza:
- JANS1N3595US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200MA DO35
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15874 Pieces
- Ficha de datos:
- JANS1N3595US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JANS1N3595US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JANS1N3595US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | - |
| Paquete del dispositivo: | B, SQ-MELF |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 3µs |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, B |
| Otros nombres: | 1086-15125 1086-15125-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JANS1N3595US |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200mA (DC) Surface Mount B, SQ-MELF |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1nA @ 125V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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