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JAN2N6766
- Número de pieza:
- JAN2N6766
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15200 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN2N6766.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN2N6766, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN2N6766 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-3 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 90 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-204AE |
| Otros nombres: | JAN2N6766-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN2N6766 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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