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JAN2N3019S
- Número de pieza:
- JAN2N3019S
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- TRANS NPN 80V 1A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13633 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN2N3019S.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN2N3019S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN2N3019S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 80V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | TO-39 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/391 |
| Potencia - Max: | 800mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Otros nombres: | 1086-2341 1086-2341-MIL Q8035503 Q8545273 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 23 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | JAN2N3019S |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 |
| Descripción: | TRANS NPN 80V 1A |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 500mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 10nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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