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JAN1N6641US
- Número de pieza:
- JAN1N6641US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16854 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N6641US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N6641US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N6641US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 300mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | D-5B |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/609 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 5ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, B |
| Otros nombres: | 1086-20018 1086-20018-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N6641US |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 300mA |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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