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JAN1N6170US
- Número de pieza:
- JAN1N6170US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- TVS DIODE 114VWM 216.62VC CPKG
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17449 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N6170US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N6170US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N6170US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 114V |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 216.62V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 135.38V |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | C, SQ-MELF |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/516 |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | 1500W (1.5kW) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, C |
| Otros nombres: | 1086-19789 1086-19789-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N6170US |
| Descripción: | TVS DIODE 114VWM 216.62VC CPKG |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 6.94A |
| Capacitancia Frecuencia: | - |
| Canales bidireccionales: | 1 |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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