JAN1N5804US
JAN1N5804US
Número de pieza:
JAN1N5804US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12686 Pieces
Ficha de datos:
JAN1N5804US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:975mV @ 2.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:D-5A
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr):25ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, A
Otros nombres:1086-2120
1086-2120-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:JAN1N5804US
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io):2.5A
Capacitancia Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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