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JAN1N5612
- Número de pieza:
- JAN1N5612
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- TVS DIODE 49VWM 78.5VC G-PKG
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14935 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N5612.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N5612, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N5612 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 49V |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 78.5V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 54V |
| Canales unidireccionales: | 1 |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | G, Axial |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/434 |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | 1500W (1.5kW) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | G, Axial |
| Otros nombres: | 1086-15770 1086-15770-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N5612 |
| Descripción: | TVS DIODE 49VWM 78.5VC G-PKG |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 19A |
| Capacitancia Frecuencia: | - |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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