Comprar JAN1N1206A con BYCHPS
Compre con garantía
JAN1N1206A
- Número de pieza:
- JAN1N1206A
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12571 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N1206A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N1206A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N1206A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.35V @ 38A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | DO-203AA (DO-4) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | 1086-16256 1086-16256-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N1206A |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 12A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de JAN1N1206A
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Investigación |
 |
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1206AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1615R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Investigación |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Investigación |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Investigación |
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Investigación |
|
JAN1N1614R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers