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IXTH40N30
IXTH40N30
Número de pieza:
IXTH40N30
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12407 Pieces
Ficha de datos:
IXTH40N30.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 (IXTH)
Serie:MegaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTH40N30
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:300V
Descripción:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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