Comprar IXFN60N60 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 8mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | SOT-227B |
Serie: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 75 mOhm @ 500mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 700W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Chassis Mount |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IXFN60N60 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15000pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 380nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 60A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A |
Email: | [email protected] |