español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFN300N10P
IXFN300N10P
IXFN300N10P
Número de pieza:
IXFN300N10P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17442 Pieces
Ficha de datos:
IXFN300N10P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFN300N10P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFN300N10P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFN300N10P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):1070W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFN300N10P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:279nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 295A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:295A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFN300N10P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B Investigación
IXFN30N120P Image IXFN30N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B Investigación
IXFN36N100 Image IXFN36N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B Investigación
IXFN36N110P Image IXFN36N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Investigación
IXFN38N100P Image IXFN38N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B Investigación
IXFN34N100 Image IXFN34N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B Investigación
IXFN340N07 Image IXFN340N07 IXYS MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B Investigación
IXFN360N15T2 Image IXFN360N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 Investigación
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Investigación
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B Investigación
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 Investigación
IXFN39N90 Image IXFN39N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B Investigación
IXFN38N80Q2 Image IXFN38N80Q2 IXYS MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 Investigación
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B Investigación
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B Investigación
IXFN30N110P Image IXFN30N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B Investigación
IXFN360N10T Image IXFN360N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Investigación
IXFN38N100Q2 Image IXFN38N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Investigación
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 Investigación

Latest Noticias