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IXFN27N80
IXFN27N80
Número de pieza:
IXFN27N80
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14473 Pieces
Ficha de datos:
IXFN27N80.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):520W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres:468185
Q1653251
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFN27N80
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9740pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:400nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 27A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V, 15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A
Email:[email protected]

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