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IRFD113
- Número de pieza:
- IRFD113
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15542 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFD113.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFD113, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFD113 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-HVMDIP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 800 mOhm @ 800mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRFD113 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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