IRFD010
IRFD010
Número de pieza:
IRFD010
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
16813 Pieces
Ficha de datos:
IRFD010.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFD010, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFD010 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRFD010 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 860mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres:*IRFD010
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFD010
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios