IPB60R099CP
IPB60R099CP
Número de pieza:
IPB60R099CP
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16132 Pieces
Ficha de datos:
IPB60R099CP.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:99 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):255W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB60R099CP-ND
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099CPTR
IPB60R099CPXT
IPB60R099CSXT
SP000088490
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB60R099CP
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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