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Casa > Productos > Power Management IC > IC de gestión de energía - Controladores de puerta > HIP2101EIBT
HIP2101EIBT
Número de pieza:
HIP2101EIBT
Fabricante:
Intersil
Descripción:
IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12559 Pieces
Ficha de datos:
HIP2101EIBT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:9 V ~ 14 V
Paquete del dispositivo:8-SOIC-EP
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):10ns, 10ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Número de pieza del fabricante:HIP2101EIBT
Tensión lógica - VIL, VIH:0.8V, 2.2V
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap):114V
Tipo de Puerta:N-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
Configuración impulsada:Half-Bridge
Descripción:IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):2A, 2A
Corriente de carga:Independent
Email:[email protected]

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