FDZ299P
Número de pieza:
FDZ299P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13058 Pieces
Ficha de datos:
FDZ299P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:9-BGA
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:55 mOhm @ 4.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.7W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:9-WFBGA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDZ299P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:742pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta)
Email:[email protected]

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