Comprar EPC2815 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 9mA |
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Vgs (Max): | +6V, -5V |
Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Paquete del dispositivo: | Die |
Serie: | eGaN® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 mOhm @ 33A, 5V |
La disipación de energía (máximo): | - |
embalaje: | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta: | Die |
Otros nombres: | 917-1036-6 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | EPC2815 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 20V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11.6nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
Descripción: | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 33A (Ta) |
Email: | [email protected] |