español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT
Número de pieza:
EPC2047ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14783 Pieces
Ficha de datos:
EPC2047ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC2047ENGRT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC2047ENGRT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar EPC2047ENGRT con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 7mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 20A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2047ENGRTR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC2047ENGRT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 32A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de EPC2047ENGRT

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Investigación
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Investigación
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Investigación
EPC2025 Image EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Investigación
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Investigación
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Investigación
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Investigación
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Investigación
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE Investigación
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Investigación
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Investigación
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Investigación
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Investigación
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Investigación
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Investigación
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Investigación
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Investigación

Latest Noticias