español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
Número de pieza:
EPC2039ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13395 Pieces
Ficha de datos:
EPC2039ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC2039ENGRT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC2039ENGRT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar EPC2039ENGRT con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 2mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 6A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2039ENGRTR
EPC2039ENGR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC2039ENGRT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de EPC2039ENGRT

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Investigación
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Investigación
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Investigación
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Investigación
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Investigación
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Investigación
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Investigación
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Investigación
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Investigación
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Investigación
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Investigación
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Investigación
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Investigación

Latest Noticias