Comprar EPC2033ENGRT con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 9mA |
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Vgs (Max): | +6V, -4V |
Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Paquete del dispositivo: | Die |
Serie: | eGaN® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
La disipación de energía (máximo): | - |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | Die |
Otros nombres: | 917-1141-2 917-1141-2-ND 917-EPC2033ENGRTR |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | EPC2033ENGRT |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1140pF @ 75V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
Descripción: | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta) |
Email: | [email protected] |