español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2029
EPC2029
EPC2029
Número de pieza:
EPC2029
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19291 Pieces
Ficha de datos:
EPC2029.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC2029, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC2029 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar EPC2029 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 12mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.2 mOhm @ 30A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1107-2
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC2029
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1410pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 48A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de EPC2029

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Investigación
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Investigación
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Investigación
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Investigación
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Investigación
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Investigación
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Investigación
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Investigación
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2025 Image EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Investigación
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Investigación
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Investigación
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Investigación

Latest Noticias