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EPC2021ENG
EPC2021ENG
Número de pieza:
EPC2021ENG
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18937 Pieces
Ficha de datos:
EPC2021ENG.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 14mA
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.5 mOhm @ 29A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:EPC2021ENG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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