DMN3016LDN-7
DMN3016LDN-7
Número de pieza:
DMN3016LDN-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15412 Pieces
Ficha de datos:
DMN3016LDN-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:V-DFN3030-8 (Type J)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 11A, 10V
Potencia - Max:1.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:DMN3016LDN-7DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN3016LDN-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1415pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25.1nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.3A 1.1W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A
Email:[email protected]

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